IPP100N08N3GXKSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

70 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8.4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

35 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

100 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

30 S

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

46 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Parte # Alias:

G IPP100N08N3 IPP1N8N3GXK SP000680856

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

IPP100N08N, IPP100N08, IPP100N0, IPP100N, IPP100, IPP10, IPP1, IPP