FP150R12KT4P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Hex

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1200 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.75 V

Corriente continua del colector a 25 C:

150 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

100 nA

Pd - Disipación de energía:

20 mW

Paquete / Caja:

EconoPIM 3

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Bandeja

Marca:

Infineon / IR

Estilo de montaje:

A través del orificio

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

6

Subcategoría:

IGBT

Parte # Alias:

FP150R12KT4PBPSA1 SP001603798

Tags

FP150R12KT4P, FP150R12KT4, FP150R12KT, FP150R12K, FP150R1, FP150R, FP150, FP15, FP1