CG2H80060D-GP4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN

Ganar:

15 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

120 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 10 V, 2 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Potencia de salida:

25 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

-

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

-

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

440166

Embalaje:

Bandeja

Frecuencia de operación:

DC to 6 GHz

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

Transconductancia directa - Mín .:

-

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 3.8 V

Tags

CG2H800, CG2H8, CG2H, CG2