CG2H80030D-GP4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN

Ganar:

17 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 10 V to 2 V

Id - Corriente de drenaje continua:

0.8 A

Potencia de salida:

6 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

-

Temperatura mínima de funcionamiento:

-

Temperatura máxima de funcionamiento:

-

Pd - Disipación de energía:

-

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Die

Embalaje:

Paquete de gel

Solicitud:

-

Configuración:

Único

Altura:

100 um

Longitud:

840 um

Frecuencia de operación:

10 MHz to 18 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

-

Producto:

GaN HEMT

Ancho:

800 um

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

Voltaje de corte de puerta-fuente:

-

Clase:

-

Kit de desarrollo:

-

Otoño:

-

NF - Figura de ruido:

-

P1dB - Punto de compresión:

-

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.3 Ohms

Hora de levantarse:

-

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

Transistores

Tiempo de retardo de apagado típico:

-

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 3 V

Tags

CG2H800, CG2H8, CG2H, CG2