US6J2TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363T-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

570 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.77 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

US6J2

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.7 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Parte # Alias:

US6J2

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

US6J2TR, US6J2T, US6J2, US6J, US6