US6M2GTR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TUMT-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V, 20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.5 A, 1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

170 mOhms, 280 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V, 2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

1.6 nC, 2.1 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

6 ns, 10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns, 8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns, 25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 9 ns

Tags

US6M2GT, US6M2G, US6M2, US6M, US6