BUK7K15-80EX

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

23 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

35.1 nC, 35.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

68 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Otoño:

15.1 ns, 15.1 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12.6 ns, 12.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25.1 ns, 25.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.8 ns, 8.8 ns

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