DMN3110S-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

73 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

8.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

740 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN31

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

4.8 mS

Otoño:

2.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.6 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

DMN311, DMN31, DMN3, DMN