A2T21H360-23NR6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N dual

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

2.4 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 500 mV, 5 V

Ganar:

16.8 dB

Potencia de salida:

63 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

OM-1230-4

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

2110 MHz to 2200 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Semiconductores NXP

Número de canales:

2 Channel

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

150

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

0.8 V

Parte # Alias:

935322358528

Unidad de peso:

0.186807 oz

Tags

A2T21H3, A2T21H, A2T21, A2T2, A2T