C3M0280090D

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

900 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

280 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V

Qg - Carga de puerta:

9.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

54 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

21.1 m

Longitud:

16.13 mm

Producto:

MOSFET de potencia

Escribe:

MOSFET de carburo de silicio

Ancho:

5.21 mm

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

Otoño:

7.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

26 ns

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

C3M02, C3M0, C3M