TK12A80W,S4X

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220SIS-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

380 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

23 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

45 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

DTMOSIV

Serie:

TK12A80W

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

130 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

70 ns

Unidad de peso:

0.068784 oz

Tags

TK12A8, TK12A, TK12, TK1