QPD2795

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Qorvo

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN SiC

Ganar:

22 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

48 V

Id - Corriente de drenaje continua:

360 mA

Potencia de salida:

364 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

55 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 85 C

Pd - Disipación de energía:

83.5 W

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

NI780-2

Embalaje:

Gofre

Configuración:

Doble

Frecuencia de operación:

2.5 GHz to 2.7 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 85 C

Serie:

QPD

Marca:

Qorvo

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 2.7 V

Parte # Alias:

1130777

Tags

QPD279, QPD27, QPD2, QPD