2N5880

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3-2

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

4 V

Corriente máxima del colector de CC:

15 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

4 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Serie:

2N5880

Embalaje:

Tubo

Marca:

Semiconductor central

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20

Pd - Disipación de energía:

160 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

20

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N5880 PBFREE

Unidad de peso:

0.225789 oz

Tags

2N5880, 2N588, 2N58, 2N5