IXTQ30N60L2

IXTQ30N60L2
Mfr. #:
IXTQ30N60L2
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
Darlington Transistors MOSFET 30 Amps 600V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXTQ30N60L2 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Serie
IXTQ30N60
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.056438 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Nombre comercial
Linear L2
Paquete-Estuche
TO-3P-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
540 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
43 ns
Hora de levantarse
65 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
30 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
4.5 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
240 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
123 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
43 ns
Qg-Gate-Charge
335 nC
Transconductancia directa-Mín.
10 S
Modo de canal
Mejora
Tags
IXTQ30, IXTQ3, IXTQ, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
N Channel Power Mosfet, Linear L2, 600V, 30A, To-3P
***ment14 APAC
MOSFET,N CH,600V,30A,TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):240mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:540W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3; Current Id Max:30A; Voltage Vgs Max:20V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXTQ30N60L2
DISTI # IXTQ30N60L2-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 30:$12.0067
IXTQ30N60L2
DISTI # 747-IXTQ30N60L2
IXYS CorporationMOSFET 30 Amps 600V
RoHS: Compliant
0
  • 30:$12.5500
  • 60:$11.5500
  • 120:$11.2600
  • 270:$10.3300
  • 510:$9.3700
IXTQ30N60L2
DISTI # 1829757
IXYS CorporationMOSFET,N CH,600V,30A,TO-3P
RoHS: Compliant
2
  • 1:£9.5000
  • 5:£9.2500
  • 10:£8.9900
  • 50:£8.7400
  • 100:£8.5200
Imagen Parte # Descripción
IXTQ36N50P

Mfr.#: IXTQ36N50P

OMO.#: OMO-IXTQ36N50P

MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
IXTQ36N30P

Mfr.#: IXTQ36N30P

OMO.#: OMO-IXTQ36N30P

MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds
IXTQ30N50L

Mfr.#: IXTQ30N50L

OMO.#: OMO-IXTQ30N50L

MOSFET 30 Amps 500V
IXTQ32P20T

Mfr.#: IXTQ32P20T

OMO.#: OMO-IXTQ32P20T

MOSFET DISCMSFT PCHAN-TRENCH GATE
IXTQ30N60L2

Mfr.#: IXTQ30N60L2

OMO.#: OMO-IXTQ30N60L2

MOSFET 30 Amps 600V
IXTQ36N50

Mfr.#: IXTQ36N50

OMO.#: OMO-IXTQ36N50-1190

Nuevo y original
IXTQ30N50L2

Mfr.#: IXTQ30N50L2

OMO.#: OMO-IXTQ30N50L2-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
IXTQ36N50P

Mfr.#: IXTQ36N50P

OMO.#: OMO-IXTQ36N50P-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
IXTQ36N30P

Mfr.#: IXTQ36N30P

OMO.#: OMO-IXTQ36N30P-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds
IXTQ36P15P

Mfr.#: IXTQ36P15P

OMO.#: OMO-IXTQ36P15P-IXYS-CORPORATION

MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4000
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
14,06 US$
14,06 US$
10
13,35 US$
133,52 US$
100
12,65 US$
1 264,95 US$
500
11,95 US$
5 973,40 US$
1000
11,24 US$
11 244,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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