FDFMA2P029Z-F106

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

MicroFET-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

60 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.4 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

FDFMA2P029Z

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

- 11 S

Otoño:

36 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

37 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Parte # Alias:

FDFMA2P029Z_F106

Tags

FDFMA2P029Z, FDFMA2P0, FDFMA2P, FDFMA2, FDFMA, FDFM, FDF