RDN100N20

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

360 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

35 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

A granel

Altura:

8 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

26 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

29 ns

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

38 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Parte # Alias:

RDN100N20FU6

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

RDN100N, RDN10, RDN1, RDN