MPSH10RLRA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

25 V

Colector- Voltaje base VCBO:

30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

3 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.5 V

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

650 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

5.33 mm (Max)

Longitud:

5.2 mm (Max)

Embalaje:

Carrete

Ancho:

4.19 mm (Max)

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

60

Pd - Disipación de energía:

350 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Tags

MPSH10RL, MPSH10R, MPSH10, MPSH1, MPSH, MPS