SQ3427EV-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

95 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

15.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3.05 mm

Serie:

SQ

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.65 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

9 S

Otoño:

33 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

24 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

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