BUZ30AH3045AATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

21 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

100 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

-

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

SIPMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

6 S

Otoño:

90 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

70 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

250 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns

Parte # Alias:

BUZ30A BUZ3AH345AXT H3045A SP000736082

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

BUZ30AH3, BUZ30AH, BUZ30A, BUZ30, BUZ3, BUZ