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AFT27S012NT1

AFT27S012NT1
Mfr. #:
AFT27S012NT1
Fabricante:
NXP Semiconductors
Descripción:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
AFT27S012NT1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
AFT27S012NT1 DatasheetAFT27S012NT1 Datasheet (P4-P6)AFT27S012NT1 Datasheet (P7-P9)AFT27S012NT1 Datasheet (P10)
ECAD Model:
Más información:
AFT27S012NT1 más información AFT27S012NT1 Product Details
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
NXP
Categoria de producto:
Transistores RF MOSFET
Polaridad del transistor:
Canal N
Tecnología:
Si
Id - Corriente de drenaje continua:
154 mA
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
- 500 mV, 65 V
Ganar:
20.9 dB
Potencia de salida:
1.26 W
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
PLD-1.5W
Embalaje:
Carrete
Frecuencia de operación:
728 MH to 2700 MHz
Escribe:
RF Power MOSFET
Marca:
Semiconductores NXP
Número de canales:
1 Channel
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
Transistores RF MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
1000
Subcategoría:
MOSFET
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
0.8 V
Parte # Alias:
935347325515
Unidad de peso:
0.009877 oz
Tags
AFT27S01, AFT27, AFT2, AFT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Airfast Rf Power Ldmos Transistor, 728-2700 Mhz, 1.26 W Avg., 28 V
***W
RF Power Transistor, 0.728 to 2.7 GHz, 13 W Typ. P1dB, Typ. Gain in dB is 22.8 @ 2170 MHz, 28 V, LDMOS
***et
RF Power LDMOS MOSFET N-Cannel 65V 2-Pin PLD T/R
***i-Key
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
AFT27S012NT1
DISTI # AFT27S012NT1-ND		NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$10.3971
AFT27S012NT1
DISTI # AFT27S012NT1		Avnet, Inc.RF Power LDMOS MOSFET N-Cannel 65V 2-Pin PLD T/R - Tape and Reel (Alt: AFT27S012NT1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel		Americas - 0
  • 10000:$9.8900
  • 6000:$10.0900
  • 4000:$10.4900
  • 2000:$10.8900
  • 1000:$11.2900
AFT27S012NT1
DISTI # 771-AFT27S012NT1		NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V0
  • 1000:$10.4000
Imagen Parte # Descripción
AFT27S010NT1

Mfr.#: AFT27S010NT1

OMO.#: OMO-AFT27S010NT1

 RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W
AFT27S012NT1

Mfr.#: AFT27S012NT1

OMO.#: OMO-AFT27S012NT1

 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V
AFT27S006NT1

Mfr.#: AFT27S006NT1

OMO.#: OMO-AFT27S006NT1

 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
AFT27S010NT1

Mfr.#: AFT27S010NT1

OMO.#: OMO-AFT27S010NT1-NXP-SEMICONDUCTORS

 FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
AFT27S006

Mfr.#: AFT27S006

OMO.#: OMO-AFT27S006-1190

 Nuevo y original
AFT27S006N

Mfr.#: AFT27S006N

OMO.#: OMO-AFT27S006N-1190

 Nuevo y original
AFT27S006NT1

Mfr.#: AFT27S006NT1

OMO.#: OMO-AFT27S006NT1-NXP-SEMICONDUCTORS

 FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
AFT27S006NT1 AS06

Mfr.#: AFT27S006NT1 AS06

OMO.#: OMO-AFT27S006NT1-AS06-1190

 Nuevo y original
AFT27S010N

Mfr.#: AFT27S010N

OMO.#: OMO-AFT27S010N-1190

 Nuevo y original
AFT27S012NT1

Mfr.#: AFT27S012NT1

OMO.#: OMO-AFT27S012NT1-NXP-SEMICONDUCTORS

 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
2000
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Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
16,41 US$
16,41 US$
10
15,09 US$
150,90 US$
25
14,47 US$
361,75 US$
100
12,75 US$
1 275,00 US$
250
12,12 US$
3 030,00 US$
500
11,34 US$
5 670,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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