BSM75GD120DN2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Hex

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1200 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2.5 V

Corriente continua del colector a 25 C:

103 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

320 nA

Pd - Disipación de energía:

520 W

Paquete / Caja:

EconoPACK 3A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Bandeja

Altura:

17 mm

Longitud:

122 mm

Ancho:

62 mm

Marca:

Infineon Technologies

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

IGBT

Parte # Alias:

BSM75GD120DN2BOSA1 SP000100364

Tags

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