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2N4030

2N4030
Mfr. #:
2N4030
Fabricante:
Central Semiconductor
Descripción:
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
2N4030 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Semiconductor central
Categoria de producto:
Transistores bipolares - BJT
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-39-3
Polaridad del transistor:
PNP
Configuración:
Único
Voltaje colector-emisor VCEO Max:
60 V
Colector- Voltaje base VCBO:
60 V
Emisor- Voltaje base VEBO:
- 5 V
Producto de ganancia de ancho de banda fT:
100 MHz
Serie:
2N4030
Ganancia de corriente CC hFE Max:
120
Altura:
6.6 mm
Longitud:
9.4 mm
Embalaje:
A granel
Ancho:
9.4 mm
Marca:
Semiconductor central
Colector de CC / Ganancia base hfe Min:
40
Tipo de producto:
BJT - Transistores bipolares
Cantidad de paquete de fábrica:
500
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
2N4030 PBFREE
Unidad de peso:
0.035486 oz
Tags
2N403, 2N40, 2N4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***fin
Transistor PNP 2N4030 COMSET Ampere=1 TO39
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
2N4030
DISTI # 2N4030		Central Semiconductor CorpBipolar Transistor Small Signal PNP Amplifier/Switch 100mA 5V 3-Pin TO-39 Through Hole Box - Boxed Product (Development Kits) (Alt: 2N4030)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 500
Container: Box		Americas - 0
  • 500:$0.8939
  • 1000:$0.8829
  • 2000:$0.8599
  • 3000:$0.8389
  • 5000:$0.8189
2N4030
DISTI # 610-2N4030		Central Semiconductor CorpBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
RoHS: Compliant		954
  • 1:$1.9200
  • 10:$1.7000
  • 100:$1.3600
  • 500:$1.2000
  • 1000:$0.9860
  • 2000:$0.9190
  • 5000:$0.8850
2N4030Freescale SemiconductorBipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-3934
  • 26:$0.5000
  • 6:$0.8000
  • 1:$1.0000
2N4030Motorola Semiconductor Products 40
    2N4030New Jersey Semiconductor Products, Inc. 9166
      Imagen Parte # Descripción
      PGA26E19BA

      Mfr.#: PGA26E19BA

      OMO.#: OMO-PGA26E19BA

      		 MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
      HSS-B20-NP-06

      Mfr.#: HSS-B20-NP-06

      OMO.#: OMO-HSS-B20-NP-06

      		 Heat Sinks 19 x 19 x 9.52mm TO-220 bolt on
      HSS-B20-NP-06

      Mfr.#: HSS-B20-NP-06

      OMO.#: OMO-HSS-B20-NP-06-CUI

      		 HEATSINK TO-220 2.9W ALUMINUM
      PGA26E19BA

      Mfr.#: PGA26E19BA

      OMO.#: OMO-PGA26E19BA-1190

      		 MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
      Disponibilidad
      Valores:
      828
      En orden:
      2811
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de 2N4030 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      1,92 US$
      1,92 US$
      10
      1,70 US$
      17,00 US$
      100
      1,36 US$
      136,00 US$
      500
      1,20 US$
      600,00 US$
      1000
      0,99 US$
      986,00 US$
      2000
      0,92 US$
      1 838,00 US$
      5000
      0,88 US$
      4 425,00 US$
      10000
      0,85 US$
      8 500,00 US$
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