FDMC8884-F126

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-33-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

19 mOhms

Qg - Carga de puerta:

5 nC, 10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

18 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

3.3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

FDMC8884_F126

Tags

FDMC8884, FDMC888, FDMC88, FDMC8, FDMC, FDM