FDJ1032C

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-75-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

108 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

1.6 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDJ1032C

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.6 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

5 S

Otoño:

8 ns, 13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns, 13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11 ns, 13 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 8 ns

Parte # Alias:

FDJ1032C_NL

Unidad de peso:

0.003386 oz

Tags

FDJ10, FDJ1, FDJ