IRF5802TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Id - Corriente de drenaje continua:

900 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.2 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

4.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

0.55 S

Otoño:

9.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

7.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Parte # Alias:

SP001561828

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

IRF5802TRP, IRF5802T, IRF5802, IRF580, IRF58, IRF5, IRF