OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hola, regístrateMi cuenta
0 Carro

IXDR30N120D1

IXDR30N120D1
Mfr. #:
IXDR30N120D1
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
IGBT Transistors 30 Amps 1200V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXDR30N120D1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
IGBTs - Single
Serie
IXDR30N120
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.186952 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Nombre comercial
ISOPLUS
Paquete-Estuche
ISOPLUS247
Tipo de entrada
Estándar
Tipo de montaje
A través del orificio
Paquete de dispositivo de proveedor
ISOPLUS247
Configuración
Único
Potencia máxima
200W
Tiempo de recuperación inverso trr
40ns
Colector-corriente-Ic-Max
50A
Voltaje-Colector-Emisor-Ruptura-Máx.
1200V
Tipo IGBT
NPT
Colector de corriente pulsado Icm
60A
Vce-en-Max-Vge-Ic
2.9V @ 15V, 30A
Energía de conmutación
4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
Gate-Charge
120nC
Td-encendido-apagado-25 ° C
-
Condición de prueba
600V, 30A, 47 Ohm, 15V
Disipación de potencia Pd
200 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Colector-Emisor-Voltaje-VCEO-Max
1.2 kV
Colector-Emisor-Saturación-Voltaje
2.4 V
Corriente-de-colector-continuo-a-25-C
50 A
Puerta-Emisor-Fuga-Corriente
500 nA
Voltaje máximo del emisor de puerta
+/- 20 V
Colector-continuo-Corriente-Ic-Max
60 A
Tags
IXDR3, IXDR, IXD
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
***ark
Igbt W/ Diode; 1.2Kv, 50A; Isoplus-247; Dc Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):2.4V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. IGBT, ISOPLUS247; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.4V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AD; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Current Ic Continuous a Max:50A; Fall Time tf:70ns; Junction to Case Thermal Resistance A:0.6°C/W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:Copack (FRD); Power Dissipation Max:200W; Rise Time:70ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:1.2kV
***nell
IGBT, ISOPLUS247; Prąd kolektora DC:50A; Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on):2.4V; Straty mocy Pd:200W; Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo:1.2kV; Rodzaj obudowy tranzystora:TO-247AD; Liczba pinów:3piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:150°C; Asortyment produktów:-; Kwalifikacja motoryzacyjna:-; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:-; Substancje SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Biegunowość tranzystora:Kanał N; Czas narastania:70ns; Czas opadania tf:70ns; Konfiguracja pinów:Copack (FRD); Napięcie Vces:1.2kV; Prąd Ic stały a, maks.:50A; Rezystancja termiczna złącze - obudowa A:0.6°C/W; Rodzaj tranzystora:IGBT; Straty mocy, maks.:200W; Temperatura robocza, min.:-55°C; Typ zakończenia:Przewlekane; Zakres temperatury roboczej:-55°C do +150°C
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXDR30N120D1
DISTI # IXDR30N120D1-ND		IXYS CorporationIGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$10.0040
IXDR30N120D1
DISTI # 747-IXDR30N120D1		IXYS CorporationIGBT Transistors 30 Amps 1200V
RoHS: Compliant		1
  • 1:$11.3300
  • 10:$10.3000
  • 25:$9.5300
  • 50:$8.9800
  • 100:$8.7600
  • 250:$7.9800
  • 500:$7.4700
IXDR30N120D1
DISTI # 1300075		IXYS CorporationIGBT, ISOPLUS247
RoHS: Compliant		0
  • 1:£9.1200
  • 5:£8.5700
  • 10:£7.2100
  • 50:£6.7900
  • 100:£6.6500
Imagen Parte # Descripción
IXDR30N120D1

Mfr.#: IXDR30N120D1

OMO.#: OMO-IXDR30N120D1

 IGBT Transistors 30 Amps 1200V
IXDR30N120

Mfr.#: IXDR30N120

OMO.#: OMO-IXDR30N120

 IGBT Transistors 30 Amps 1200V
IXDR30N120D1

Mfr.#: IXDR30N120D1

OMO.#: OMO-IXDR30N120D1-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors 30 Amps 1200V
IXDR30N120

Mfr.#: IXDR30N120

OMO.#: OMO-IXDR30N120-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors 30 Amps 1200V
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
5000
Ingrese la cantidad:
El precio actual de IXDR30N120D1 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
11,20 US$
11,20 US$
10
10,64 US$
106,45 US$
100
10,08 US$
1 008,45 US$
500
9,52 US$
4 762,15 US$
1000
8,96 US$
8 964,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
Empezar con
Nuevos productos
More Newest Products
Top