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IXDR30N120D1

IXDR30N120D1
Mfr. #:
IXDR30N120D1
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
IGBT Transistors 30 Amps 1200V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXDR30N120D1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXDR30N120D1 DatasheetIXDR30N120D1 Datasheet (P4)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
IXYS
Categoria de producto:
Transistores IGBT
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Paquete / Caja:
ISOPLUS247-3
Estilo de montaje:
A través del orificio
Configuración:
Único
Voltaje colector-emisor VCEO Max:
1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:
2.4 V
Voltaje máximo del emisor de puerta:
20 V
Corriente continua del colector a 25 C:
50 A
Pd - Disipación de energía:
200 W
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Serie:
IXDR30N120
Embalaje:
Tubo
Corriente continua de colector Ic Max:
60 A
Altura:
21.34 mm
Longitud:
16.13 mm
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 55 C to + 150 C
Ancho:
5.21 mm
Marca:
IXYS
Corriente continua del colector:
50 A
Corriente de fuga puerta-emisor:
500 nA
Tipo de producto:
Transistores IGBT
Cantidad de paquete de fábrica:
30
Subcategoría:
IGBT
Nombre comercial:
ISOPLUS
Unidad de peso:
0.186952 oz
Tags
IXDR3, IXDR, IXD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
***ark
Igbt W/ Diode; 1.2Kv, 50A; Isoplus-247; Dc Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):2.4V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. IGBT, ISOPLUS247; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.4V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AD; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Current Ic Continuous a Max:50A; Fall Time tf:70ns; Junction to Case Thermal Resistance A:0.6°C/W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:Copack (FRD); Power Dissipation Max:200W; Rise Time:70ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:1.2kV
***nell
IGBT, ISOPLUS247; Prąd kolektora DC:50A; Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on):2.4V; Straty mocy Pd:200W; Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo:1.2kV; Rodzaj obudowy tranzystora:TO-247AD; Liczba pinów:3piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:150°C; Asortyment produktów:-; Kwalifikacja motoryzacyjna:-; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:-; Substancje SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Biegunowość tranzystora:Kanał N; Czas narastania:70ns; Czas opadania tf:70ns; Konfiguracja pinów:Copack (FRD); Napięcie Vces:1.2kV; Prąd Ic stały a, maks.:50A; Rezystancja termiczna złącze - obudowa A:0.6°C/W; Rodzaj tranzystora:IGBT; Straty mocy, maks.:200W; Temperatura robocza, min.:-55°C; Typ zakończenia:Przewlekane; Zakres temperatury roboczej:-55°C do +150°C
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXDR30N120D1
DISTI # IXDR30N120D1-ND		IXYS CorporationIGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$10.0040
IXDR30N120D1
DISTI # 747-IXDR30N120D1		IXYS CorporationIGBT Transistors 30 Amps 1200V
RoHS: Compliant		1
  • 1:$11.3300
  • 10:$10.3000
  • 25:$9.5300
  • 50:$8.9800
  • 100:$8.7600
  • 250:$7.9800
  • 500:$7.4700
IXDR30N120D1
DISTI # 1300075		IXYS CorporationIGBT, ISOPLUS247
RoHS: Compliant		0
  • 1:£9.1200
  • 5:£8.5700
  • 10:£7.2100
  • 50:£6.7900
  • 100:£6.6500
Imagen Parte # Descripción
MM5Z6V2ST1G

Mfr.#: MM5Z6V2ST1G

OMO.#: OMO-MM5Z6V2ST1G

 Zener Diodes 6.2V 200mW
CZRU52C6V2

Mfr.#: CZRU52C6V2

OMO.#: OMO-CZRU52C6V2

 Zener Diodes Zener Diode 150mW, 6.2V
CD74HC4538M96

Mfr.#: CD74HC4538M96

OMO.#: OMO-CD74HC4538M96

 Monostable Multivibrator Hi-Spd CMOS Dual Retrig Precision
LP2951ACMX/NOPB

Mfr.#: LP2951ACMX/NOPB

OMO.#: OMO-LP2951ACMX-NOPB

 LDO Voltage Regulators Adj Micropower Vltg Reg
LP2951ACMX/NOPB

Mfr.#: LP2951ACMX/NOPB

OMO.#: OMO-LP2951ACMX-NOPB-TEXAS-INSTRUMENTS

 LDO Voltage Regulators Adj Micropower Vltg Reg
CZRU52C6V2

Mfr.#: CZRU52C6V2

OMO.#: OMO-CZRU52C6V2-COMCHIP-TECHNOLOGY

 Zener Diodes Zener Diode 150mW, 6.2V
CD74HC4538M96

Mfr.#: CD74HC4538M96

OMO.#: OMO-CD74HC4538M96-TEXAS-INSTRUMENTS

 Nuevo y original
BD244B

Mfr.#: BD244B

OMO.#: OMO-BD244B-ON-SEMICONDUCTOR

 TRANS PNP 80V 6A TO220AB
MM5Z6V2ST1G

Mfr.#: MM5Z6V2ST1G

OMO.#: OMO-MM5Z6V2ST1G-ON-SEMICONDUCTOR

 Zener Diodes 6.2V 200mW
Disponibilidad
Valores:
121
En orden:
2104
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El precio actual de IXDR30N120D1 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
11,33 US$
11,33 US$
10
10,30 US$
103,00 US$
25
9,53 US$
238,25 US$
50
8,98 US$
449,00 US$
100
8,76 US$
876,00 US$
250
7,98 US$
1 995,00 US$
500
7,47 US$
3 735,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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