NTMSD6N303R2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

24 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.5 mm

Longitud:

5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

10 S

Otoño:

34 ns, 45 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

27 ns, 22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns, 45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns, 9 ns

Unidad de peso:

0.006596 oz

Tags

NTMSD6N303R, NTMSD6N30, NTMSD6, NTMSD, NTMS, NTM