HS8K1TB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HSML3030L-10

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

6 nC, 7.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

2.9 ns, 3.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.5 ns, 5.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19.2 ns, 19.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.2 ns, 8.4 ns

Parte # Alias:

HS8K1

Tags

HS8K1, HS8K, HS8