HS8K11TB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HSML3030L-10

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7 A, 11 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12.8 mOhms, 10.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, 12 V

Qg - Carga de puerta:

11.1 nC, 20.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

5.1 ns, 7.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10.8 ns, 15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26.8 ns, 47.3 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.4 ns, 13.6 ns

Parte # Alias:

HS8K11

Tags

HS8K11, HS8K1, HS8K, HS8