NPT1012B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

MACOM

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN Si

Ganar:

13 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

3 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 mA

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Pd - Disipación de energía:

44 W

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

4 GHz

Marca:

MACOM

P1dB - Punto de compresión:

43 dBm

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

440 mOhms

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 1.8 V

Unidad de peso:

0.007760 oz

Tags

NPT101, NPT10, NPT1, NPT