NVD5890NT4G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

123 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

74 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

107 W

Configuración:

Único

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

NVD5890N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

16.8 S

Otoño:

7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

55 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

NVD589, NVD58, NVD5, NVD