QS8F2TCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSMT-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal P, PNP

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

44 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

QS8F2

Tipo de transistor:

1 P-Channel, PNP

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

85 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

130 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Tags

QS8F, QS8