RS1G120MNTB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HSOP-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

20.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

9.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

25 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

5.8 mm

Producto:

MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

4 S

Otoño:

3.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

23.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.7 ns

Parte # Alias:

RS1G120MN

Unidad de peso:

0.002490 oz

Tags

RS1G120M, RS1G12, RS1G1, RS1G, RS1