DMN30H4D1S-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, NPN

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

300 V

Id - Corriente de drenaje continua:

0.43 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

4.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

0.43 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

13.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.1 ns

Tags

DMN30H4, DMN30H, DMN30, DMN3, DMN