DMN30H14DLY-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-89-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

300 V

Id - Corriente de drenaje continua:

210 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerDI

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN30

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.3 ns

Unidad de peso:

0.004603 oz

Tags

DMN30H, DMN30, DMN3, DMN