2N7002PV,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-666-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

350 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.75 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

800 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

330 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

0.4 S

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3 ns

Unidad de peso:

0.000099 oz

Tags

2N7002P, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7