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NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G
Mfr. #:
NTZD5110NT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
NTZD5110NT1G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NTZD5110NT1G DatasheetNTZD5110NT1G Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
EN Semiconductor
categoria de producto
Chips de IC
Serie
NTZD5110N
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Unidad de peso
0.000289 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SOT-563, SOT-666
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
SOT-563
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
250mW
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
60V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
24.5pF @ 20V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
294mA
Rds-On-Max-Id-Vgs
1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
0.7nC @ 4.5V
Disipación de potencia Pd
250 mW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
7.3 ns
Hora de levantarse
7.3 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
294 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
60 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
1.6 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
63.7 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
12 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
NTZD5110NT, NTZD5, NTZD, NTZ
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
NTZD5110NT1G Dual N-channel MOSFET Transistor; 0.31 A; 60 V; 6-Pin SOT-563
***th Star Micro
NTZD5110N: Small Signal MOSFET 60V 310mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SOT-563 with ESD Protection
***Semiconductor
Dual N-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection 60V, 310mA, 1.6Ω
***ser
MOSFETs- Power and Small Signal SMALL SIGNAL MOSFET 60V, 310mA DUAL N-CH
***ure Electronics
Dual N-Channel 60 V 1.6 Ohm 250 mW Small Signal MOSFET - SOT-563
***Components
Supplied as a Tape, Dual N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 6-Pin SOT-563 ON Semiconductor NTZD5110NT1G
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
***ark
NFET SOT563 60V 380MA 1.6
***an P&S
Small Signal MOSFET
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, DUAL NCH, 60V, 310MA, SOT-563; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:294mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Dissipation Pd:250mW; Transistor Case Style:SOT-563; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
***nell
MOSFET, DUAL NCH, 60V, 310MA, SOT-563; Biegunowość tranzystora:Podwójny kanał N; Prąd ciągły Id drenu:294mA; Napięcie drenu / źródła Vds:60V; Rezystancja przewodzenia Rds(on):1.19ohm; Napięcie Vgs pomiaru Rds(on):10V; Napięcie progowe Vgs:2.5V; Straty mocy Pd:250mW; Rodzaj obudowy tranzystora:SOT-563; Liczba pinów:6piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:150°C; Asortyment produktów:-; Kwalifikacja motoryzacyjna:-; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:MSL 1 - nieograniczone; Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
NTZD5110NT1G
DISTI # C1S541900844269		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
RoHS: Compliant		270
  • 500:$0.0449
NTZD5110NT1G
DISTI # NTZD5110NT1GOSCT-ND		ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		15810In Stock
  • 1000:$0.1017
  • 500:$0.1323
  • 100:$0.2239
  • 10:$0.3410
  • 1:$0.4800
NTZD5110NT1G
DISTI # NTZD5110NT1GOSDKR-ND		ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		15810In Stock
  • 1000:$0.1017
  • 500:$0.1323
  • 100:$0.2239
  • 10:$0.3410
  • 1:$0.4800
NTZD5110NT1G
DISTI # NTZD5110NT1GOSTR-ND		ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Tape & Reel (TR)		12000In Stock
  • 4000:$0.0988
NTZD5110NT1G
DISTI # NTZD5110NT1G		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R - Tape and Reel (Alt: NTZD5110NT1G)
RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Reel		Americas - 0
  • 4000:$0.0535
  • 8000:$0.0532
  • 16000:$0.0525
  • 24000:$0.0518
  • 40000:$0.0506
NTZD5110NT1G
DISTI # NTZD5110NT1G		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R (Alt: NTZD5110NT1G)
RoHS: Compliant
Min Qty: 8000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
    NTZD5110NT1G
    DISTI # 50M4409    		ON SemiconductorDUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOT-563, FULL REEL,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:310mA,Drain Source Voltage Vds:60V,On Resistance Rds(on):1.19ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,No. of Pins:6Pins , RoHS Compliant: Yes0
    • 1:$0.1080
    • 8000:$0.1080
    NTZD5110NT1G
    DISTI # 14AC4783    		ON SemiconductorMOSFET, DUAL NCH, 60V, 310MA, SOT-563,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:294mA,Drain Source Voltage Vds:60V,On Resistance Rds(on):1.19ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2.5V,, RoHS Compliant: Yes1678
    • 1:$0.5390
    • 10:$0.3450
    • 25:$0.2800
    • 50:$0.2160
    • 100:$0.1510
    • 250:$0.1390
    • 500:$0.1290
    • 1000:$0.1170
    NTZD5110NT1G.
    DISTI # 26AC2772    		ON SemiconductorNFET SOT563 60V 380MA 1.6 , ROHS COMPLIANT: YES0
    • 1:$0.0540
    • 8000:$0.0540
    • 16000:$0.0530
    • 24000:$0.0520
    • 40000:$0.0510
    NTZD5110NT1G
    DISTI # 70341434    		ON SemiconductorNTZD5110NT1G Dual N-channel MOSFET Transistor,0.31 A,60 V,6-Pin SOT-563
    RoHS: Compliant    		0
    • 100:$0.2000
    • 250:$0.1980
    • 500:$0.1960
    • 1000:$0.1940
    NTZD5110NT1GON Semiconductor 
    RoHS: Not Compliant    		1122800
    • 500:$0.0900
    • 1000:$0.0900
    • 25:$0.1000
    • 100:$0.1000
    • 1:$0.1100
    NTZD5110NT1G
    DISTI # 863-NTZD5110NT1G    		ON SemiconductorMOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
    RoHS: Compliant    		16071
    • 1:$0.5100
    • 10:$0.3240
    • 100:$0.1390
    • 1000:$0.1070
    • 4000:$0.0810
    NTZD5110NT1G
    DISTI # 7804802P    		ON SemiconductorMOSFET DUAL N-CH 60V 310MA ESD SOT563, RL1650
    • 250:£0.0670
    • 1000:£0.0590
    • 2500:£0.0540
    NTZD5110NT1GON SemiconductorINSTOCK2091
      NTZD5110NT1G
      DISTI # 2728042      		ON SemiconductorMOSFET, DUAL NCH, 60V, 310MA, SOT-563
      RoHS: Compliant      		1648
      • 5:£0.2820
      • 25:£0.2700
      • 100:£0.1110
      • 250:£0.1060
      • 500:£0.0838
      NTZD5110NT1G
      DISTI # 2728042      		ON SemiconductorMOSFET, DUAL NCH, 60V, 310MA, SOT-563
      RoHS: Compliant      		1638
      • 1:$0.7560
      • 10:$0.5400
      • 100:$0.3550
      • 500:$0.2100
      • 1000:$0.1620
      Imagen Parte # Descripción
      NTZD5110NT5G

      Mfr.#: NTZD5110NT5G

      OMO.#: OMO-NTZD5110NT5G

      		 MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
      NTZD5110N

      Mfr.#: NTZD5110N

      OMO.#: OMO-NTZD5110N-1190

      		 Nuevo y original
      NTZD5110NT1G

      Mfr.#: NTZD5110NT1G

      OMO.#: OMO-NTZD5110NT1G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
      NTZD5110NT5G

      Mfr.#: NTZD5110NT5G

      OMO.#: OMO-NTZD5110NT5G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
      NTZD5110NT1G-CUT TAPE

      Mfr.#: NTZD5110NT1G-CUT TAPE

      OMO.#: OMO-NTZD5110NT1G-CUT-TAPE-1190

      		 Nuevo y original
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      3500
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de NTZD5110NT1G es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,07 US$
      0,07 US$
      10
      0,06 US$
      0,64 US$
      100
      0,06 US$
      6,06 US$
      500
      0,06 US$
      28,60 US$
      1000
      0,05 US$
      53,90 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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