DMT10H010LSS-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

29.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

14.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

53.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.9 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMT10H010

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

22 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11.6 ns

Unidad de peso:

0.017870 oz

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