NST847BF3T5G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-1123-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

45 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

NST847BF3T5G

Ganancia de corriente CC hFE Max:

200 at 2 mA, 5 V

Altura:

0.37 mm

Longitud:

0.6 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

0.8 mm

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

200 at 2 mA, 5 V

Pd - Disipación de energía:

347 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

Transistores

Tags

NST847, NST84, NST8, NST