CSD16406Q3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VSON-Clip-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

5.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

46 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

CSD16406Q3

Tipo de transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Otoño:

4.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.3 ns

Unidad de peso:

0.001541 oz

Tags

CSD1640, CSD164, CSD16, CSD1, CSD