PMT200EPEX

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

70 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

167 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

15.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

8.3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

13.5 S

Otoño:

20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Tags

PMT200EP, PMT200, PMT20, PMT2, PMT