DMT3006LPB-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI5060-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

35 A, 50 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.1 mOhms, 6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

12.6 nC, 16.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

30 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

1.8 ns, 4.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.3 ns, 5.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10.2 ns, 13.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.6 ns, 3.5 ns

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DMT3006LP, DMT3006, DMT300, DMT30, DMT3, DMT