DMT3009LFVW-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI3333-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

1.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.2 ns

Tags

DMT3009LF, DMT3009L, DMT3009, DMT300, DMT30, DMT3, DMT