NTLJD3183CZTBG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDFN-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

100 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

4.6 nC, 5.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

2 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

7 S, 6.5 S

Otoño:

14 ns, 12.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.5 nS, 9 nS

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 nS, 14 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.2 nS, 6.6 nS

Tags

NTLJD318, NTLJD3, NTLJD, NTLJ, NTL