FQN1N60CBU

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.3 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

A granel

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.2 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

0.75 S

Otoño:

27 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Unidad de peso:

0.006314 oz

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FQN1N60C, FQN1N6, FQN1, FQN