FQN1N50CTA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

380 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.6 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

890 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Ammo Pack

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FQN1N50C

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

0.6 S

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.008466 oz

Tags

FQN1N5, FQN1, FQN