FCH041N65EFL4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

76 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

41 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, 30 V

Qg - Carga de puerta:

229 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

595 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

SuperFET II UniFET FRFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

22.74 mm

Longitud:

15.8 mm

Serie:

FCH041N65EFL4

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

71.7 S

Otoño:

48 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

65 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

450

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

175 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

55 ns

Unidad de peso:

0.221838 oz

Tags

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