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IXTQ110N055P

IXTQ110N055P
Mfr. #:
IXTQ110N055P
Fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXTQ110N055P Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTQ110N055P DatasheetIXTQ110N055P Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
FET - Single
Serie
IXTQ110N055
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.194007 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Nombre comercial
PolarHT
Paquete-Estuche
TO-3P-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
390 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 175 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
45 ns
Hora de levantarse
53 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
110 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
55 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
5.5 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
11 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
66 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
27 ns
Qg-Gate-Charge
76 nC
Transconductancia directa-Mín.
23 S
Modo de canal
Mejora
Tags
IXTQ11, IXTQ1, IXTQ, IXT
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
***i-Key
MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
***ark
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:110A; Resistance, Rds On:0.0135ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5.5V; Case Style:TO-3P; Termination ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:110A; Resistance, Rds On:0.0135ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5.5V; Case Style:TO-3P; Termination Type:Through Hole; N-channel Gate Charge:76nC; No. of Pins:3; Power, Pd:390W; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.38°C/W; Typ Capacitance Ciss:2210pF; Voltage, Vds Max:550V; Time, trr Max:80ns
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXTQ110N055P
DISTI # IXTQ110N055P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$3.3167
IXTQ110N055P
DISTI # 747-IXTQ110N055P		IXYS CorporationMOSFET 110 Amps 55V 0.0135 Rds
RoHS: Compliant		0
    IXTQ110N055PIXYS Corporation 30
      Imagen Parte # Descripción
      IXTQ110N10P

      Mfr.#: IXTQ110N10P

      OMO.#: OMO-IXTQ110N10P

      		 MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
      IXTQ11N10P

      Mfr.#: IXTQ11N10P

      OMO.#: OMO-IXTQ11N10P-1190

      		 Nuevo y original
      IXTQ110N10P

      Mfr.#: IXTQ110N10P

      OMO.#: OMO-IXTQ110N10P-IXYS-CORPORATION

      		 IGBT Transistors MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
      IXTQ110N055P

      Mfr.#: IXTQ110N055P

      OMO.#: OMO-IXTQ110N055P-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      2500
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      El precio actual de IXTQ110N055P es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      4,98 US$
      4,98 US$
      10
      4,73 US$
      47,26 US$
      100
      4,48 US$
      447,75 US$
      500
      4,23 US$
      2 114,40 US$
      1000
      3,98 US$
      3 980,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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