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IXFH6N100

IXFH6N100
Mfr. #:
IXFH6N100
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 1KV 6A
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXFH6N100 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
FET - Single
Serie
HiPerFET
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.229281 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Nombre comercial
HyperFET
Paquete-Estuche
TO-247-3
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
A través del orificio
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
TO-247AD (IXFH)
Configuración
Único
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
180W
Tipo transistor
1 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
1000V (1kV)
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
2600pF @ 25V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
6A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs-th-Max-Id
4.5V @ 2.5mA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
130nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
180 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
60 ns
Hora de levantarse
40 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
2 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
100 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
35 ns
Transconductancia directa-Mín.
6 S
Modo de canal
Mejora
Tags
IXFH6N10, IXFH6N1, IXFH6N, IXFH6, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***trelec
MOSFET [Ixys] IXFH6N100 MOSFET
***inecomponents.com
MOSFETs w/Fast Intrinsic Diode
***ark
Mosfet, N, To-247; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:1Kv; Continuous Drain Current Id:6A; On Resistance Rds(On):2Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V Rohs Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXFH6N100
DISTI # V36:1790_17757776		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant		0
    IXFH6N100
    DISTI # V99:2348_17757776    		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
    RoHS: Compliant    		0
      IXFH6N100F
      DISTI # V36:1790_14391214      		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
      RoHS: Compliant      		0
      • 1020:$2.7270
      • 510:$3.1560
      • 120:$4.5450
      • 30:$8.8300
      IXFH6N100
      DISTI # IXFH6N100-ND      		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Tube      		1134In Stock
      • 510:$5.5180
      • 120:$6.5860
      • 30:$7.2980
      • 10:$8.0100
      • 1:$8.9000
      IXFH6N100Q
      DISTI # IXFH6N100Q-ND      		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Tube      		51In Stock
      • 510:$5.7815
      • 120:$6.9005
      • 30:$7.6467
      • 10:$8.3930
      • 1:$9.3300
      IXFH6N100F
      DISTI # IXFH6N100F-ND      		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 6A TO247
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Tube      		On Order
      • 510:$5.4715
      • 120:$6.5305
      • 30:$7.2367
      • 10:$7.9430
      • 1:$8.8300
      IXFH6N100
      DISTI # 97K2544      		IXYS CorporationMOSFET, N, TO-247,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:6A,Drain Source Voltage Vds:1kV,On Resistance Rds(on):2ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:4.5V,Power Dissipation Pd:180W,MSL:- RoHS Compliant: Yes38
      • 500:$6.4200
      • 250:$7.0300
      • 100:$7.0600
      • 50:$7.0900
      • 25:$7.1300
      • 10:$7.1600
      • 1:$7.1900
      IXFH6N100
      DISTI # 747-IXFH6N100      		IXYS CorporationMOSFET 1KV 6A
      RoHS: Compliant      		0
      • 90:$7.1200
      • 120:$6.9600
      • 270:$6.3600
      • 510:$5.8000
      • 1020:$5.5300
      IXFH6N100F
      DISTI # 747-IXFH6N100F      		IXYS CorporationMOSFET HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A
      RoHS: Compliant      		933
      • 1:$8.8300
      • 10:$8.0300
      • 25:$7.2300
      • 100:$6.5300
      • 250:$6.5200
      • 500:$5.4700
      • 1000:$5.3300
      IXFH6N100Q
      DISTI # 747-IXFH6N100Q      		IXYS CorporationMOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds
      RoHS: Compliant      		13
      • 1:$10.7200
      • 10:$9.6500
      • 25:$8.0300
      • 50:$7.4600
      • 100:$7.2900
      • 250:$6.6600
      • 500:$6.0700
      • 1000:$5.7900
      IXFH6N100IXYS Corporation*** FREE SHIPPING ORDERS OVER $100 *** MOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AD11
      • 5:$4.6500
      • 2:$6.2000
      • 1:$9.3000
      IXFH6N100IXYS Corporation*** FREE SHIPPING ORDERS OVER $100 *** MOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AD24
      • 12:$6.2000
      • 4:$6.8200
      • 1:$9.3000
      IXFH6N100
      DISTI # IXFH6N100      		IXYS CorporationTransistor: N-MOSFET,unipolar,1kV,6A,179W,TO247-3,250ns1
      • 1:$14.2700
      • 3:$12.6600
      • 10:$10.1400
      • 25:$9.0600
      IXFH6N100
      DISTI # 9359508      		IXYS CorporationMOSFET, N, TO-247
      RoHS: Compliant      		39
      • 510:$8.3700
      • 120:$9.9900
      • 30:$11.0600
      • 1:$13.4900
      IXFH6N100F
      DISTI # 1347754      		IXYS CorporationMOSFET, N, RF, TO-247AD
      RoHS: Compliant      		0
      • 120:$8.7800
      • 30:$9.7300
      • 1:$11.8700
      IXFH6N100
      DISTI # 9359508      		IXYS CorporationMOSFET, N, TO-247128
      • 100:£5.2900
      • 50:£5.7100
      • 10:£5.8600
      • 5:£7.1500
      • 1:£7.7400
      Imagen Parte # Descripción
      IXFH60N50P3

      Mfr.#: IXFH60N50P3

      OMO.#: OMO-IXFH60N50P3

      		 MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
      IXFH30N60P

      Mfr.#: IXFH30N60P

      OMO.#: OMO-IXFH30N60P

      		 MOSFET 600V 30A
      IXFH7N100P

      Mfr.#: IXFH7N100P

      OMO.#: OMO-IXFH7N100P

      		 MOSFET DISCMOSFETN-CH HIPERFET-POLAR
      IXFH12N100F

      Mfr.#: IXFH12N100F

      OMO.#: OMO-IXFH12N100F-IXYS-RF

      		 MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
      IXFH180N10

      Mfr.#: IXFH180N10

      OMO.#: OMO-IXFH180N10-1190

      		 Nuevo y original
      IXFH22N65X2

      Mfr.#: IXFH22N65X2

      OMO.#: OMO-IXFH22N65X2-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
      IXFH80N02

      Mfr.#: IXFH80N02

      OMO.#: OMO-IXFH80N02-1190

      		 Nuevo y original
      IXFH26N60P

      Mfr.#: IXFH26N60P

      OMO.#: OMO-IXFH26N60P-IXYS-CORPORATION

      		 Darlington Transistors MOSFET 600V 26A
      IXFH80N085

      Mfr.#: IXFH80N085

      OMO.#: OMO-IXFH80N085-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET HiPerFETTM Power MOSFET
      IXFH10N100

      Mfr.#: IXFH10N100

      OMO.#: OMO-IXFH10N100-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 1KV 10A
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      3500
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de IXFH6N100 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      6,98 US$
      6,98 US$
      10
      6,63 US$
      66,26 US$
      100
      6,28 US$
      627,75 US$
      500
      5,93 US$
      2 964,40 US$
      1000
      5,58 US$
      5 580,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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